近年来，各种计算和智能设备的需求激增，引发了全球芯片供应危机，进而影响到汽车、消费电子、PC 和众多相邻行业。台积电表示，现代智能手机、智能家电和个人电脑已经使用了数十种芯片和传感器，而这些芯片的数量（和复杂性）只会越来越多。此外，智能汽车芯片市场即将爆发，汽车已经使用了数百个芯片，预计几年后每辆车的芯片数量将达到 1,500 颗左右。
6 月 20 日消息，台积电在 6 月 16 日的技术研讨会上透露，到 2025 年，其成熟和专业节点的产能将扩大约 50%。该计划包括在中国大陆、中国台湾、日本建设大量新晶圆厂。此举将进一步加剧台积电与格芯、联电、中芯国际等芯片代工厂商之间的竞争。在日前举行的台积电北美技术论坛上，台积电正式公布未来先进制程路线图。
其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺，将于2025年量产。同时披露了2nm（N2）的部分信息，采用纳米片电晶体（Nanosheet），以取代使用多年的FinFET（鳍式场效应晶体管）。台积电表示，2nm制程工艺将基于全新的纳米片电晶体架构，与5nm工艺所采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）完全不同，会带来更强的性能和更优的能效，但所需要的投资也会更大。三星晶圆代工业务的负责人也曾表示，他们在按计划推进2nm制程工艺在2025年下半年量产。
按照台积电的技术路线图，3nm（N3）将于今年内量产，而且3nm技术要用大概3年的时间，后续还有N3E、N3P、N3X，然后和N2制程并存发展。台积电在2022年技术研讨会上的数据显示，相较于3nm，2nm制程相同功耗下速度提升10-15%，相同速度下，功耗降低25~30%。
此前台积电研发资深副总经理Y.J. Mii在台积电技术论坛上表示，公司将在2024年引进ASML高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）光刻机。Y.J. Mii在表示:展望未来，台积电将在2024年引入 High-NA EUV光刻机，以开发客户所需的相关基础设施和图案化解决方案，并推动创新。
