消息人士称三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存

此前我们曾报道过存储芯片制造商SK海力士宣布其已经完成了 238 层产品的开发，成为目前行业内新高。而作为另一家行业巨头，三星肯定是不会坐视不管的。就在近日，根据外媒BusinessKorea 的报道，三星电子计划在今年内发布自家的 236 层 NAND 闪存产品。与此同时，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进 NAND 闪存产品的开发。

而根据相关媒体报道，随着中国厂商的崛起，各大存储芯片制造商正在竞相增加其产品层数。SK 海力士最近完成了 238 层产品的开发，美光科技宣布开发出全球首款 232 层 NAND 闪存产品。根据相关机构的数据统计，在 NAND 闪存市场，三星电子占了35%的市场份额 ，为全球最高。因此其需要不断提高自己产品的竞争力，以此来维持市场份额。