三星电子 2024 年底量产 256GB CXL 2.0 内存模块,基于 1y nm DRAM

IT之家 7 月 18 日消息,据韩媒 ZDNet Korea 报道,三星电子内存部门新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 今日表示,三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的 256GB CMM-D 2.0 模块。该内存模组将配备较为成熟的 1y nm(第二代 10+ nm 级)工艺 DRAM 内存颗粒,发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。三星电子 2024 年底量产 256GB CXL 2.0 内存模块,基于 1y nm DRAM休闲区蓝鸢梦想 - Www.slyday.coM除 CMM-D 外,三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品,包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品,其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力。展望未来,Choi Jang Seok 称:“当 CXL 3.1 和池化(IT之家注:可在多个主机间共享 CXL 内存资源)技术得到支持后,CXL 市场将在 2028 年左右全面开花。”广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

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