当前，我国大力发展半导体芯片产业，可谓是用了“举国之力”，在税收层面不仅减免了半导体领域企业10年的税收，并且在人才、资金方面都予以了前所未有的支撑，并且已经下达了“命令”，要求在5年之后实现国内7成芯片都是国产率。
那么不禁有人会问，在目前我们和美国技术差别这么大的前提下，5年实现70%的自给率，这真的能实现吗？我们只用一些这段时间我国半导体领域取得的突破就能回答了。
此前，我国芯片设计能力只有华为海思一家能够达到标准的7nm制程级别，除此之外并无第二家，但是现在有了，此前被美国狠狠的“敲”走了二十三亿美元的中兴也在近期完成了对7nm芯片设计的研发，而不仅仅是初具研发能力，而是已经可以实现商用。
此外，中芯国际用来对标7nm芯片的“N+1”芯片，也在近日完成了测试，明年差不多就可以实现量产，那么华为的芯片困局也就不再是困局了。
而且值得注意的是，中芯国际的“N+1”芯片不仅在功效上和台积电生产的7nm芯片相差无几，而且用的还是非EUV光刻机，一旦这个芯片实现了量产，那么也就意味着我国就不会再因为高端光刻机的缺失而被美国卡住“命运的咽喉”。意料之中！中科院入场后，中企也开始动作了，这次是强强联合。
于此同时，在光刻机研发领域方面，现在中科院也已经下场开始牵头打攻坚战了，虽然我们距离量产出顶级的光刻机还有不小的差距，但是相信在中科院的带领下，我国在中低端光刻机上一定会再上升一个台阶。
如果仅仅只是国内我们自己“坚强发育”肯定也是不够的，至少方式还没有用尽，外部可借助的力量全部都用上，才真正称得上是尽全力。这不，中企对ASML的老对手日本的尼康和佳能也抛出了橄榄枝。
