碳化硅

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。（新华社）

中国第三代半导体正迎来发展的窗口期。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。其中，中国的GaN微波射频产业产值2020年将达到33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%；SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达到35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%。另一方面，市场规模扩大，5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元；新能源汽车及消费电子成为突破口，2020

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