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晶体管

超越 IEEE 预测,韩国研究团队研发出亚纳米级尺寸晶体管

IT之家 7 月 4 日消息,韩国基础科学研究院 (IBS) 的研究团队取得突破,成功研制出亚纳米级晶体管,超越了现有行业发展预期。该技术有望引领下一代低功耗高性能电子设备的研发。据IT之家了解,半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中,由于光刻分辨率的限制,将栅极长度

可重构晶体管登场,可用于构建有编程功能的芯片电路

IT之家 3 月 29 日消息,来自奥地利维也纳工业大学的科研团队近日开发出新型晶体管技术--可重构场效应晶体管(RFET),可用于构建具有可随时编程功能的电路。一颗 CPU 固然拥有数十亿个晶体管,但通常情况下是为执行一种特定功能而制造的。传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤,就是

功率半导体市场放缓,报告称中国大陆企业转向 12 英寸晶圆和 IGBT 晶体管

IT之家 11 月 28 日消息,根据集邦咨询发布的最新报告,在功率半导体市场减速的大背景下,中国大陆企业在 12 英寸晶圆和 IGBT 领域寻求突破,并取得了亮眼的成绩。2023 年上半年,中芯国际、华虹半导体、合肥晶合集成电路(Nexchip)和绍兴中芯集成电路(SMEC)等中国知名晶圆代工厂的

科学家开发出三维垂直场效应晶体管,将催生更小、更环保的数据存储器

本文转自:科技日报 科技日报记者 张梦然 通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件。此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率。发表在2022年电气与电子工程师协会(IEEE)硅

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